電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
10月14日 191014_02 富士通セミコンダクター 半導体集積回路 メモリー 一般産業用

125℃で動作、容量2MビットFRAM「MB85RS2MTY」


2メガビットFRAM
「MB85RS2MTY」のパッケージ

 富士通セミコンダクターは、125度での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリー容量となる2メガビットFRAM「MB85RS2MTY」を開発、評価サンプルの提供を開始した。

 同製品は125度の高温環境下においても10兆回のデータ書き込み回数を保証する不揮発性メモリー。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えない。エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適な製品。

 FRAMは、EEPROMやフラッシュメモリーと比べて「高書き換え耐性」「高速書き込み」「低消費電力」の特徴で優位性がある。約20年の量産実績を持ち、近年はウエアラブルデバイス、産業用ロボット、ドローンへの採用実績もある。

 2メガビットのメモリー容量で、1.8-3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェイスのメモリー。マイナス40-プラス125度の温度範囲で、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証している。動作周波数は、従来品の1.5倍となる最大50メガヘルツに高速化。加えて、信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格のAEC-Q100グレード1に準拠している。

 パッケージは、EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リードなしの8ピンDFNもそろえている。

 

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