業界初136層V-NANDを採用した250GBのSSD

136層V-NAND採用の 250ギガビットSATA SSD

【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、ＰＣのＯＥＭ向けに第６世代の１３６層３ビットＶ―ＮＡＮＤを採用した２５０ＧＢＳＡＴＡ　ＳＳＤの量産を開始した。

　ベースとなるＶ―ＮＡＮＤは、業界初となる１００層以上のセルを積層した製品で容量は２５６ギガビット。サムスン独自の「チャネルホール・エッチング」技術を活用することで、前世代の９０層クラスのシングルスタック構造に比べ、４０％多くセルを積層することに成功した。１３６層で構成される導電性スタック金型は、最上部から最下部まで円筒形の穴が垂直貫通しており、均一の３Ｄチャージ・トラップ・フラッシュを形成している。

　各セル領域においてスタックの高さが増すと、ＮＡＮＤフラッシュはエラーや読み込み遅延が起こりやすくなるが、サムスンは速度最適化回路設計を取り入れることで、この問題を解決。

　書き込み時４５０μ秒以下、読み込み時４５μ秒のデータ伝送を実現し、前世代に比べて性能は１０％以上向上。同時に消費電力は１５％低減した。

　速度最適化設計により、サムスンは現在のスタックを三つ積み上げただけで、性能や信頼性を損なわず、３００層以上の次世代Ｖ―ＮＡＮＤソリューションを提供できると説明する。

　また、２５６ギガビットのチップを作るのに必要なチャネルホールの数が、前世代の９億３千万から６億７千万に減少しており、これによりチップサイズが縮小され、工程数も減少。２０％以上も生産性が向上したとしている。

　チップの高速・低電力性能を活用してサムスンは今後、３Ｄ　Ｖ―ＮＡＮＤを次世代モバイル機やエンタープライズサーバー、さらに高い信頼性が求められる自動車市場向けにも提供していく考えだ。

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