実装時のはんだ高さ130マイクロメートルを保証する下面電極パッケージ採用1.6mm角MOSFET

ロームの下面電極パッケージ採用の １.６×１.６mmサイズMOSFET

　ロームは、部品実装時のはんだ高さ１３０μｍ以上を業界で初めて実現した下面電極パッケージ採用の１.６×１.６ｍｍサイズＭＯＳＦＥＴを開発し、９月に量産体制を整える。

　パッケージ側面のリードフレーム部に切り込みを入れてめっき加工を施し、側面にも電極を形成する独自のウェッタブル　フランク技術を採用。先進運転支援システム（ＡＤＡＳ）のカメラモジュールなど車載用途で小型化とともに求められているはんだ付け状態をカメラで検査する自動外観検査時に必要な部品実装時のはんだ高さ１３０μｍ以上の要望に応えた。

　下面電極パッケージ側面の電極部分の高さ１３０μｍを保証し、車載信頼性規格ＡＥＣ―Ｑ１０１に準拠。下面電極パッケージでもはんだフィレットの確実な視認性による自動外観検査を可能にした。５月からサンプル出荷を開催。サンプル価格１００円（税別）／個。２０年モデルのＡＤＡＳカメラモジュールから採用予定。前工程をローム・アポロ筑後工場（福岡県筑後市）、後工程は国内協力工場で行う。

　下面電極パッケージの側面のリードフレーム部に切り込みを入れてめっき加工するウェッタブル　フランク形成で、切り込みを入れる際に発生するバリが切り込みを高くするほど多く発生する課題があった。

　ロームはバリア層となるめっき加工済みリードフレームにＭＯＳＦＥＴチップを乗せてワイヤボンディングし、モールド樹脂で封止。封止したＭＯＳＦＥＴを裏向けリードフレームの裏側から金属ブレードで切り込みを入れてめっき加工し、再度金属ブレードで切り込む独自のウェッタブル　フランクプロセスを採用することでリードフレーム切り込み時のバリ発生を抑制。部品実装時の製品の傾きや、はんだ不良をなくした。

　同社従来品の２.９×２.８ｍｍ端子付きパッケージのＭＯＳＦＥＴと同サイズのチップを搭載できる１.６×１.６ｍｍ下面電極パッケージで業界初のパッケージ側面の電極部分（はんだフィレット）の高さ１３０μｍ保証を実現。外観検査時のはんだ付け状態の視認性を高めた。ＬＳＩでウェッタブル　フランクプロセス採用品を製品化しているが、ＭＯＳＦＥＴにウェッタブル　フランク形成プロセスを用いたのは今回が初めて。

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