インバータ回路に特化した600V耐圧のスーパージャンクションMOSFET

ロームの６００Ｖ耐圧ＳＪ―ＭＯＳＦＥＴ 「ＰｒｅｓｔｏＭＯＳ」 Ｒ６０ｘｘＪＮｘシリーズ

　ロームは、インバータ回路に特化した６００Ｖ耐圧のスーパージャンクション（ＳＪ）―ＭＯＳＦＥＴ「ＰｒｅｓｔｏＭＯＳ（プレストモス）」に、軽負荷時の電力損失をＩＧＢＴより最大で５８％低減。省エネ効果と設計自由度を向上させた新シリーズ「Ｒ６０ｘｘＪＮｘシリーズ」３０機種をラインアップする。昨年１０月から量産を始め、既に２４機種をラインアップ。残る６機種も３月中に量産を始める。エアコン、冷蔵庫、太陽光発電用パワーコンディショナ、ＥＶ用充電器などの産業機器向けに供給する。

　新シリーズ「Ｒ６０ｘｘＪＮｘシリーズ」は、ジャンクションＭＯＳＦＥＴの課題だった高速スイッチング時のリカバリノイズを、Ｐ層の濃度に勾配をつけ、オンからオフに切り替わる時に空乏層が広がるスピードを和らげることで、業界最速の逆回復時間（ｔｒｒ）を維持したまま一般的な高速スイッチング仕様のＳＪ―ＭＯＳＦＥＴより大幅に低減した。同社従来品に比べても、ソフトリカバリ指数を３０％改善。これにより、ユーザーでのゲート抵抗などによるノイズ調整が容易になった。

電圧閾値１.５倍

　また、ＭＯＳＦＥＴに構造上、存在する寄生容量を最適化し、スイッチング時の意図しないゲート電圧を０.９８Ｖと同社従来品比２０％削減。ＭＯＳＦＥＴをオンさせるために必要な電圧のしきい値を同社従来品の約１.５倍に拡大できた。

　これによってＭＯＳＦＥＴに急峻な電圧が加わった際に、意図しないゲート電圧が発生することで製品固有のしきい値を超えてＭＯＳＦＥＴが誤オンするセルフターンオン現象を起きにくくした。ユーザーが行うゲート抵抗などによる損失調節範囲を拡大し、設計自由度を高めた。

電力損失２ポイント減

　省エネエアコンの軽負荷時インバータ電力損失を比較すると、ＩＧＢＴを１００として一般のＭＯＳＦＥＴは４６、同社従来品も４４、今回の新シリーズは４２と電力損失を２ポイント下げ、さらに省エネ効果を高めることができる。

　オン抵抗１１００−４５ｍΩ、パッケージＴＯ―２５２／ＴＯ―２６３／ＴＯ―２２０ＦＭ／ＴＯ―３ＰＦ／ＴＯ―２４７で供給。

　前工程はローム・アポロ（福岡県）、後工程はローム　コリアで行っている。

　３月からチップワンストップ、ザイコストア、アールエスコンポーネンツでインターネット販売も始めた。

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