データ転送速度1.4Gbpsを達成可能、第5世代3DV-NAND

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　【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、世界最速のデータ転送速度をうたう第５世代３Ｄ　Ｖ―ＮＡＮＤの量産を開始した。

　業界初の「Ｔｏｇｇｌｅ　ＤＤＲ４.０」インターフェイスの採用により、ストレージとメモリー間のデータ転送速度は１.４Ｇビット ／秒（Ｇｂｐｓ）を達成。前世代６４層Ｖ―ＮＡＮＤに比べ４０％の高速化を実現している。

　一方、動作電圧を１.８Ｖから１.２Ｖに下げたことで消費電力は前世代と変わらず。書き込み速度は５００μ秒と３０％高速化、読み込み応答速度は５０μ秒に大幅短縮された。

　業界最大となる９０層以上の３Ｄ　ＣＴＦ（チャージトラップフラッシュ）セルをピラミッド構造で集積しており、総セル数は８５０億個以上。各セルは３ビットのデータを保存可能だ。

　さらに、原子層堆積技術を採用したことで生産効率が３０％向上。最先端技術により各セルの層の高さが２０％削減され、セル間の混線を防止、チップのデータ処理効率がアップした。

　サムスンでは現在、容量１テラビット の製品やクアッドレベルセル（ＱＬＣ）を用いた第５世代Ｖ―ＮＡＮＤも準備中。スパコンやエンタープライズサーバー、ハイエンドスマホ分野などをターゲットに、高性能メモリーを提供していく。