実装面積を90%削減できる容量8MビットのFRAM「MB85R8M2T」

実装面積の比較 [引用:富士通セミコンダクター株式会社]

　富士通セミコンダクター（横浜市港北区、曲渕景昌社長）は、強誘電体メモリーであるＦＲＡＭで、最大メモリー容量の８Ｍビット 「ＭＢ８５Ｒ８Ｍ２Ｔ」を開発。６月から量産品の提供を開始した。

　１.８―３.６Ｖのワイドレンジで動作し、ＳＲＡＭ互換のパラレルインターフェイスを持つ不揮発性メモリー。これまでの最大４Ｍビット ＦＲＡＭのメモリー容量増加や、既に使用中の８Ｍビット ＳＲＡＭで瞬断対策用バッテリの削減という要求に対応する。工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用するＳＲＡＭを、同ＦＲＡＭに置き換えることでバッテリが不要となり、メモリー部の実装面積を約９０％削減。トータルコストの削減に貢献する。

　同社のＦＲＡＭは、高書き換え耐性、高速書き込み、低消費電力の特徴と、約２０年の量産実績を持つ信頼性が高いメモリー。書き換え保証回数は、同じ不揮発性メモリーのＥＥＰＲＯＭと比較すると約１千万倍の１０兆回に相当するため、リアルタイムでのデータ記録や位置情報記憶など、頻繁なデータ書き換えが必要な産業用アプリケーションにも採用されている。

　今回の製品はワイドレンジでの動作に加え、パッケージは８×６ミリメートルの小型サイズである４８ピン　ＦＢＧＡパッケージを採用した。４４ピンＴＳＯＰパッケージのＳＲＡＭを使用の場合、同ＦＲＡＭに置き換えることで、バッテリの実装面積を含めると約９０％の実装面積を削減した（図参照）。