大規模メモリー動作と信頼性が実証されたフィン構造SG-MONOSフラッシュメモリー

　ルネサス　エレクトロニクスはこのほど、回路線幅が１６／１４ナノメートル世代以降のフラッシュメモリー内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したＳＧ−ＭＯＮＯＳフラッシュメモリーの大規模動作に成功した。

　１６年１２月に同社が世界で初めて発表したフィン構造ＳＧ−ＭＯＮＯＳフラッシュメモリーの単体セルの動作確認に引き続き、大規模メモリー動作とその信頼性が実証されたことで、１６／１４ナノメートル世代以降のマイコンに混載可能な１００ＭＢ超の大容量フラッシュメモリーの実現に向けて大きく前進することができた。

　自動運転車などクルマの進化やＩｏＴを介したスマート社会化が加速しており、より高性能かつ低消費電力を目指して微細なプロセスを用いた最先端の高信頼性マイコンが求められている。このため同社は、現在量産中あるいは開発中の４０／２８ナノメートル世代のプロセスをさらに先取りし、１６／１４ナノメートル世代プロセスに混載可能なフラッシュメモリーの開発を世界に先駆けて行い、高性能・低消費電力の先端ロジックと大容量・高信頼性の微細不揮発メモリーの組み合わせによるさらなるマイコンの進化を追求している。

　同社は昨年、従来採用してきた電荷トラップ型のフラッシュメモリー技術を応用展開することで、世界初のフィン構造ＳＧ−ＭＯＮＯＳフラッシュメモリーセルの開発に成功したことを報告。

　ＳＧ−ＭＯＮＯＳフラッシュメモリーは、メモリー保持をシリコン基板面に形成した薄いトラップ膜で行うため、３次元立体構造であるフィン構造への展開が比較的容易であり、同じくフィン構造を有する１６／１４ナノメートルのロジックプロセスとの親和性が高いことが特徴。

　▽ＳＧ−ＭＯＮＯＳ　スプリットゲート（ＳＧ）構造のＭＯＮＯＳ技術。ＭＯＮＯＳは「メタル」「酸化膜」「窒化膜」「酸化膜」「シリコン」の略称。