スリープモード時、消費電流が業界最小クラスの平均0.1μAの1MビットFeRAM

ロームの1Mb FeRAM [引用:ラピスセミコンダクタ株式会社]

　ロームは１Ｍビット 強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）を１２月から発売する。

　高速・高頻度なログデータ取得や緊急時の高速データバックアップが必要なスマートメーター、計測機器、医療機器、金融端末などに供給する。

　１.８−３.６Ｖの広い電源電圧範囲全域で４０MHzの高速動作を実現したＳＰＩバス品「ＭＲ４５Ｖ１００Ａ」と、シリアルバスの異なるＩ２Ｃバス品として速度を必要としない「ＭＲ４４Ｖ１００Ａ」の２品種をそろえた。

　ロームグループのラピスセミコンダクタが開発した。既にサンプル出荷を始め、１２月から量産に入る。サンプル価格７００円（税別）／個。生産は前工程がローム本社（京都市）、後工程をローム　エレクトロニクス　フィリピンズで行う。

　スタンバイ（待機）モード時は動作不要な回路の電源遮断を徹底。動作復帰時は必要な部分だけ高速で初期化することで電流消費を抑制。１Ｍ ビット ＦｅＲＡＭで業界最小クラスのスタンバイ電流を達成した。

　また、同社ＦｅＲＡＭで初めてスリープモード（休止）モードを搭載。１Ｍ ビット ＦｅＲＡＭでスリープモード時消費電流を業界最小クラスの平均０.１μＡに抑えた。電池駆動時間が重視される決裁端末やデータロガーなどのハンディターミナル、モバイル機器・端末にも使えるようにした。

　スリープモードからの復帰時間を業界最短の１００μ秒にして、休止期間が短いことが望まれる用途でもスリープモードの適用を可能にした。メモリー構成１２８Ｋワード×８ ビット 。読み書き耐性１兆回、データ保証期間１０年、動作温度４０−８５度。

　「ＭＲ４５Ｖ１００Ａ」▽パッケージ８ピンプラスチックＳＯＰ／ＤＩＰ▽動作周波数４０MHz、動作電流３ｍＡ（４０MHz時）ｔｙｐ、４.５ｍＡ（同）ｍａｘ。

　「ＭＲ４４Ｖ１００Ａ」▽８ピンプラスチックＳＯＰ▽３.４MHz（Ｈｓモード）／１MHz（ファストモードプラス）、３５０μＡ（１MHz時）ｔｙｐ、４５０μＡ（同）ｍａｘ。

　▽ＦｅＲＡＭ　電源を切っても記憶データを保持できる不揮発性メモリーの一種。記憶素子に強誘電体容量を用いる。高速データ書き換え、高書き換え耐性、低消費電力が特徴。