DFA率業界最高レベルの99%を達成、高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra」

ＳｉＣエピタキシャル基板 [引用:住友電気工業株式会社]

4インチ「EpiEra」基底面転位マップの例 DFA率100％ [引用:住友電気工業株式会社]

　住友電工はエピタキシャル層に含まれる欠陥を極限まで低減したＳｉＣパワーデバイス用エピタキシャル基板「ＥｐｉＥｒａ」の生産・販売を開始した。

　パワーデバイスは電力制御を目的とした半導体デバイスで、電力、鉄道、自動車、家電などの様々な分野で使われており、近年はより高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイスが求められている。

　なかでもＳｉＣ（炭化ケイ素）は、パワーデバイスの低損失・高効率・小型化を可能にする点で最も注目されている材料の一つ。同社はＳｉＣパワーデバイスの基盤材料であり、その性能・信頼性に大きく影響を与えるＳｉＣエピタキシャル基板の開発を進めてきた。

　このほど同社は、長年培ってきた化合物半導体の技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた独自技術の「ＭＰＺ」を活用し、４インチ（１００ミリメートル径）および６インチ（１５０ミリメートル径）の高品質ＳｉＣエピタキシャル基板「ＥｐｉＥｒａ」の製品化に成功し、量産を開始した。

　ＥｐｉＥｒａは、表面欠陥や基底面転位が存在しない領域の面積率（ＤＦＡ率）において、業界最高レベルの９９％以上を達成している。これにより、ＳｉＣパワーデバイスのさらなる品質の向上と安定化が見込まれる。

　▽表面欠陥　エピタキシャル層の表面に現れる結晶欠陥で、デバイスの歩留まりに影響を与える。

　▽基底面転位　ＳｉＣ単結晶の基底面に発生する転位で、製品の信頼性に影響を与える。