電波プロダクトニュース



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8月16日 170816_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

1チップで容量1テラビットの3次元NANDメモリーモジュール「NGSFF SSD」を発表


サムスン電子の
16テラバイトのNGSFF SSD

 韓国のサムスン電子は、米カリフォルニア州サンタクララで7日から10日まで開催されたNAND型フラッシュメモリーとSSDに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリー・サミット」で、最新のV―NANDメモリーソリューションを発表した。いずれも次世代のデータ処理やストレージシステム要件を満たすものと自信を見せた。

 例えば、来年リリース予定の1テラ(1兆)ビットのV―NAND。V―NANDはメモリーセルを数枚垂直積層した同社独自の3次元NANDフラッシュで、新製品はシングルチップで1テラビット の容量を実現。これを単一パッケージに16個集積することで2テラバイト のメモリーモジュールを構築できる。

 また、業界初の16テラバイト NGSFF(次世代小型フォームファクタ)対応SSDも紹介した。ラックマウントサーバー向けで、サイズは30.5×110×4.38ミリメートル。現在主流のM.2ドライブの代わりに使用することで、システムの記憶容量を4倍に拡大可能だ。

 サムスンは今回、16テラバイトのNGSFF SSDを36枚使用し1Uラックで576テラバイトの大容量を提供するサーバーのリファレンスシステムを公開。同システムは随時読み込み約1千万IOPSで、2.5インチSSDを搭載した1Uサーバーの3倍のIOPS性能を提供する。NGSFF SSDの最初の製品は、今年第4四半期にも量産出荷される予定。

 このほか、昨年同社が発表した「Z―SSD」技術を使用した最初の製品となる「SZ985」も披露。Z―SSDはビッグデータ解析やサーバーキャッシングなど大規模データ集約型タスクを処理するデータセンター/エンタープライズシステム向けに開発された技術で、超低遅延と高性能を特徴とする。

 新製品は、リードレイテンシ(リードコマンドを入力してからコマンドが出てくるまでの遅延サイクル)が15マイクロ秒と、NVMe SSDの7分の1。アプリケーションレベルではシステム応答時間を12分の1に短縮できるという。


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