1チップで容量1テラビットの3次元NANDメモリーモジュール「NGSFF　SSD」を発表

サムスン電子の 16テラバイトのNGSFF SSD

　韓国のサムスン電子は、米カリフォルニア州サンタクララで７日から１０日まで開催されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとＳＳＤに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリー・サミット」で、最新のＶ―ＮＡＮＤメモリーソリューションを発表した。いずれも次世代のデータ処理やストレージシステム要件を満たすものと自信を見せた。

　例えば、来年リリース予定の１テラ（１兆）ビットのＶ―ＮＡＮＤ。Ｖ―ＮＡＮＤはメモリーセルを数枚垂直積層した同社独自の３次元ＮＡＮＤフラッシュで、新製品はシングルチップで１テラビット の容量を実現。これを単一パッケージに１６個集積することで２テラバイト のメモリーモジュールを構築できる。

　また、業界初の１６テラバイト ＮＧＳＦＦ（次世代小型フォームファクタ）対応ＳＳＤも紹介した。ラックマウントサーバー向けで、サイズは３０.５×１１０×４.３８ミリメートル。現在主流のＭ.２ドライブの代わりに使用することで、システムの記憶容量を４倍に拡大可能だ。

　サムスンは今回、１６テラバイトのＮＧＳＦＦ　ＳＳＤを３６枚使用し１Ｕラックで５７６テラバイトの大容量を提供するサーバーのリファレンスシステムを公開。同システムは随時読み込み約１千万ＩＯＰＳで、２.５インチＳＳＤを搭載した１Ｕサーバーの３倍のＩＯＰＳ性能を提供する。ＮＧＳＦＦ　ＳＳＤの最初の製品は、今年第４四半期にも量産出荷される予定。

　このほか、昨年同社が発表した「Ｚ―ＳＳＤ」技術を使用した最初の製品となる「ＳＺ９８５」も披露。Ｚ―ＳＳＤはビッグデータ解析やサーバーキャッシングなど大規模データ集約型タスクを処理するデータセンター／エンタープライズシステム向けに開発された技術で、超低遅延と高性能を特徴とする。

　新製品は、リードレイテンシ（リードコマンドを入力してからコマンドが出てくるまでの遅延サイクル）が１５マイクロ秒と、ＮＶＭｅ　ＳＳＤの７分の１。アプリケーションレベルではシステム応答時間を１２分の１に短縮できるという。