インバータ回路用に特化した600V耐圧スーパージャンクション構造のMOSFET「PrestoMOS」の量産を開始

本格量産開始の600V SJ MOSFET「Presto MOS」第2世代。 TO-252パッケージ品��と TO-247パッケージ品。

　ロームはインバータ回路用に特化した６００Ｖ耐圧スーパージャンクション（ＳＪ）構造のＭＯＳＦＥＴ「ＰｒｅｓｔｏＭＯＳ（プレストモス）」の第２世代シリーズの本格量産に入った。

　独自のチップ構造の最適化でエアコン、冷蔵庫、洗濯機の白モノ家電や産業用モーター、ＥＶ用急速充電器などのインバータ回路の高速ｔｒｒ（逆回復時間）、低オン抵抗、低Ｑｇ（ゲート入力電荷量）の要望に応えた。７年ぶりの世代交代。１６年１２月から月産能力１０万個体制で量産を始めている。前工程はローム・アポロ（福岡県広川町）、後工程はローム　コーリア。サンプル価格約１８０―１８００円。

　有山詔ディスクリート生産本部パワートランジスタ製造部長は「従来の高速ｔｒｒ性能を維持したまま、低オン抵抗化と高速スイッチング化を実現できた。業界トップシェアのエアコンインバータ回路用はインバータ化が進む中国やアジアの需要を取り込み、シェアをさらに上げていく。産業用モーター、充電ステーションなどのインバータ回路用もＩＧＢＴからＰｒｅｓｔｏＭＯＳの置き換えを進め、省エネ化のニーズに対応する」と話している。

　第２世代（２Ｇ）のＰｒｅｓｔｏＭＯＳは「Ｒ６０ｘｘｘＭＮｘシリーズ」。１０年に量産を開始した第１世代（１Ｇ）ＰｒｅｓｔｏＭＯＳ同様、スイッチング動作を行うＰチャンネルに残留している電子と正孔の二つをシリコンの結晶欠陥を作ることで消滅させる同社独自のライフタイム制御法を採用。１ＧよりＰチャンネル領域とＮチャンネル領域の間隔（トランジスタ１セルサイズ）を３分の２に狭め、Ｑｇを１Ｇ比７０％低減し、高速スイッチング性能を１Ｇ比７０％改善。スイッチングダイオードがオン状態から完全なオフ状態になるまでにかかるｔｒｒを２０％高速化した。

　また、Ｎチャンネルの高濃度化で同じスペースで１Ｇよりスイッチングダイオードがオン状態時の抵抗値のオン抵抗を１Ｇ比４０％低減し、電流を多く流せるようにした。１Ｇ同様、ＭＯＳＦＥＴのスイッチがオフ状態でも電流が流れてしまうセルフターンオン現象は発生しない。ＰチャンネルとＮチャンネル間の狭ピッチ化で短絡耐量は１Ｇより下がったが、他社品に比べると１.数倍から２.数倍の高短絡耐量を確保した。

　高速ｔｒｒ、低オン抵抗、低Ｑｇによりインバータエアコンで軽負荷時のインバータ電力損失を１Ｇより約２０％低減。ＩＧＢＴと比べると約５６％低減。インバータエアコンの一層の省エネ化を可能にした。

　パッケージはＴＯ―２５２（オン抵抗―５００ｍΩ品、４００―２５０ｍΩ品）／ＴＯ―２２０ＦＭ（１５０―１００ｍΩ品）／ＴＯ―３ＰＦ（１００―５０ｍΩ品）／ＴＯ―２４７（１００―、５０―ｍΩ品）のほか、ＴＯ―２６３（ＬＰＴＳ）でも供給可能。オン抵抗５００―４００ｍΩのＴＯ―２５２と同２５０―１５０ｍΩのＴＯ―２２０ＦＭのパッケージ品も開発中。