定格1700Ｖのフルシリコンカーバイド（SiC）パワーモジュール

　ロームは、定格電圧１７００Ｖ、定格電流１００ＡのフルＳｉＣ（シリコンカーバイド）パワーモジュールを開発し、１月からサンプル出荷を開始した。

　内蔵するパワー半導体素子を全てロームのＳｉＣパワー半導体で構成した。これまで定格電圧１２００Ｖ、定格電流１２０Ｖ、１８０ＡだったフルＳｉＣパワーモジュールの定格電圧を１７００Ｖまで上げ、高電圧対応が必要な産業機器などに使用できるようにした。外形寸法は１２００Ｖ、１２０Ｖ、１８０Ｖと同じ１２２×４６×１７ミリメートル。

　高須秀視常務取締役は「微細化以外の半導体で新しい世界を広げていこうと、ＭＯＲＥ　ＭＯＯＲＥからＭＯＲＥ　ＴＨＡＮ　ＭＯＯＯＲＥへの取り組みを進めている。ＳｉＣパワーデバイス、モジュールの開発、商品化もその一環だ。定格電圧、定格電流を高めることで応用範囲が広がり、様々な機器の低消費電力化、小型化に大きく貢献できる」と言う。

　また、定格電圧１２００Ｖで定格電流３００ＡのフルＳｉＣパワーモジュールを産業機械や太陽光発電のパワーコンディショナなどのインバータ、アップコンバータ用に年内にサンプル出荷を始める予定。さらに定格電圧１７００Ｖで定格電流２５０Ａ、３００ＡのフルＳｉＣパワーモジュールのラインアップを検討。高電圧、大電流化により産業機械のほか、電気自動車／ハイブリッド車、電鉄車両、スマートグリッド送配電の市場ニーズに応えていく。生産はいずれもローム本社工場（京都市）で行う。

　ＳｉＣパワー半導体レベルでは、すでにフランスの鉄道車両メーカー、アルストム・トランスポート社が開発中の定格電圧１７００Ｖ、定格電流２５０Ａ×２のフルＳｉＣパワーモジュールに昨年からＳｉＣショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）とＳｉＣＭＯＳトランジスタ（ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴ）をサンプル供給。アルストム・トランスポート社が同フルＳｉＣパワーモジュールの１、２年後の量産を目指している。

　ロームは１２年３月に内蔵するパワー半導体素子を全てＳｉＣで構成したフルＳｉＣパワーモジュールの量産に世界で初めて成功した。６月には第２世代となるＳｉＣ―ＳＢＤ、ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴを市場投入した。

　ＳｉＣ―ＳＢＤは１１年１１月から最大手のエアコンメーカーに出荷を開始。１２年１２月現在、累計１４万台の同メーカーのエアコンに供給している。

　同社ＳｉＣパワーデバイスはエアコンのほか、サーバー、各種産機用の電源や太陽光発電パワーコンディショナ、高周波電源、レーザー発振器、非接触充電などの各種産業機器、ＥＶ急速充電器などに供給。１３年からはＥＶ急速充電器市場が立ち上がってくるとみている。