回路線幅50ナノメートル、業界最小、低消費電力の2ギガビットDDR3

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は９月２９日、業界最小、低消費電力の２ギガビットＤＤＲ３のサンプル出荷を開始した、と発表した。

　 回路線幅５０ナノメートルの微細加工技術の使用で、新製品の生産量は同容量のＤＤＲ２製品より６０％拡大した。エネルギー効率も高く、新２ギガビットＤＤＲ３を使用したモジュールの消費電力は、１ギガビットＤＤＲ３メモリーを２個使用したモジュールのわずか４０％。サーバーや次世代デスクトップ、ノートＰＣに求められる要件を満たす。

　 小型の外形により、ＲＩＭＭ向けに最大８ギガバイト、ＳＯＤＩＭＭおよびＵＤＩＭＭ向けに４ギガバイトのメモリーチップを、スタック・コンポーネントを使用せず集積することが可能。

　 また、２ギガビットのＤＤＲ３　ＲＩＭＭは、デュアルダイ・パッケージを適用することで、最大１６ギガバイト製品まで設計できる。

　 ２ギガビット　ＤＤＲ３は、電圧１.５または１.３５Ｖで最大毎秒１.３ギガビットの伝送速度をサポート。これは、１ギガビット　ＤＤＲ３をベースとしたデュアルパッケージ製品の１.６倍に相当する。