電波プロダクトニュース
051014_03
90ナノプロセスによるNOR型1ギガビットシングルチップのフラッシュメモリ 米AMDと富士通のフラッシュメモリーの合弁会社、スパンションは12日、シングルチップ1ギガビット(Gb)のNOR型フラッシュメモリーの開発を発表した。90ナノメートルプロセスによる「MirrorbIT」テクノロジを採用、エンベデッド市場の顧客向けにサンプル出荷に入った。 12月から米テキサス州オースティンのFab25で量産を開始する。生産計画については今後、需要状況によって決める。 同社は、フラッシュメモリー市場に対しては、家電、車載、PC・ストレージ、ネットワーク&通信機器、産業用制御システムなどの「エンベデッド」と携帯電話、PDA・GPSレシーバなどの「ワイヤレス」の2分野に製品を供給している。フラッシュメモリー市場における世界シェアはNOR型ではトップ、NANDO型を合わせた全体でも2位。 今回開発した新製品(GLファミリ)は、成長著しいエンベデッド市場に1ギガビットという高容量品を投入することにより、NOR型市場における地位を不動のものにしようというもの。 GLファミリは、2メガビット-1ギガビット品までパッケージ互換性があり、容易な移行を可能にする。 |
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