051010_01沖電気

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
10月10日	051010_01	沖電気	半導体素子	ディスクリート	一般民生用

オフリーク電流を従来比10%以下に低減したＣＭＯＳトランジスタ

沖電気工業は７日、超低消費電流向けの新しいデバイス構造のＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）-CMOSトランジスタを開発。従来素子と比べ、駆動時動作速度の低下がないまま待機時の消費電流（オフリーク電流）を１０分の１以下に低減することに成功したと発表した。

今回開発した素子は、ノンドープボディー・ノンオーバーラップ型ＳＯＩと呼ぶもの。今までのＳＯＩデバイスでは、ボディー電位を固定しないと基板が浮いてしまうため、リーク電流を防ぎ切れなかったが、ノンドープボディー型構造にすることによりリーク電流の低減を実現した。

また、従来はソース・ドレインとゲートのオーバーラップ部分で寄生容量が発生するため、動作速度が低下してしまうという問題があったが、ノンオーバーラップ構造にすることによって寄生容量を低減し、動作時速度性能を向上させた。

さらに、超低オフリーク電流向けに必要な高いしきい値を得るためにメタルゲート電極など、従来のポリシリコンとは材料の異なるゲート電極を用いたプロセス開発が行われているが、プロセスが複雑になりコスト高となる。新素子では、通常のＣＭＯＳと逆極性のP+ゲートNMOSとN+ゲートPMOSを採用、従来のプロセスと親和性のあるポリシリコンゲートプロセスを使うことで、低コスト構造を実現している。