050913_07サムスン電子

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
9月13日	050913_07	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

５０ナノの超微細加工技術を使った16ギガビットNAND型フラッシュメモリー

【ソウル支局】韓国サムスン電子は１２日、世界で初めて回路線幅５０ナノメートルの設計ルールを使用した１６ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをはじめ、7.2メガピクセルのＣＭＯＳイメージセンサー、メモリーとモバイルＣＰＵをシングルパッケージに統合したフュージョン（融合型）半導体などの新技術を発表した。

中でも、５０ナノの超微細加工技術による業界初の１６ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、１枚のウエハーに計１６４万個のトランジスタを詰め込むことができる。このためメモリー１枚でＭＰ３形式の音楽ファイルを５００曲記憶可能。また、このメモリーを１６個組み込んだメモリーカードでは、ＭＰ３音楽ファイルなら8000曲、ＤＶＤ映画なら２０作品を記憶できる。

サムスンの半導体総括、黄昌圭社長は同メモリーの開発により「ミニＨＤＤの代替品としてだけでなく、ノートＰＣのＨＤＤに代わる、モバイル時代の主流データ記憶技術として大きな可能性が開かれた」と述べた。

サムスンのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、先ごろ米アップルが発表した超薄型のデジタル音楽プレヤー新製品「ｉＰｏｄ　Ｎａｎｏ」にも採用されている。またソニーの携帯型ゲーム機、プレイステーション・ポータブル（ＰＳＰ）にはサムスンの１ギガバイトのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが使われている。

過去に例のない新市場への参入で、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの市場は今後、急成長が予想される。５０ナノメートルの設計ルールが４ギガビット、８ギガビットのメモリーに採用されれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場は０５年１０２億ドルから１０年には３００億ドル規模に拡大するとサムスン電子では予想している。

今回発表した１６ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは０６年下半期に量産開始の予定。