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90ナノプロセスの高機能携帯向け256メガビットUtRAM  【ソウル支局】韓国サムスン電子は６日、９０ナノメートルのプロセス技術を採用した初の２５６メガビットＵｔＲＡＭ（ユニット・トランジスタＲＡＭ。疑似ＳＲＡＭの一種）を開発したと発表した。高機能の携帯電話設計に比類のない高速、高集積、高互換性を提供する。同社では今月末に初のシリコンサンプルを携帯電話メーカー向けに提供する計画。 同製品は１３３メガヘルツで動作する世界最速の疑似ＳＲＡＭ（ＰＳＲＡＭ）で、従来の８０メガヘルツＰＳＲＡＭデバイスに比べデータ処理速度が1.7倍。第３世代携帯電話の、さらにハイエンドのマルチメディア機能を実現する技術として注目を集める。 ＰＳＲＡＭはＤＭＲＭのメモリーセル・コンフィギュレーションと、ＳＲＡＭあるいはＮＯＲ型フラッシュメモリーのインターフェイスを有するメモリーチップ。安価で記憶容量の大きい低消費電力メモリーとして、携帯電話市場を中心にＳＲＡＭの代替製品として需要が拡大している。「ＵｔＲＡＭ」はサムスンが登録商標したＰＳＲＡＭ製品。 今回、同社が開発した２５６メガビットのＵｔＲＡＭは、ＪＥＤＥＣ（電子部品の標準化を推進する米国の業界団体）によるＰＳＲＡＭ規格に完全準拠。単体デバイスまたは、携帯電話向けのメモリーオプションの１つとなったマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）の主要部品として入手可能。量産は０５年末の予定。 現在、サムスン電子がシェア３０％を占めている世界のＰＳＲＡＭ市場は０８年まで年間平均３３％の拡大が予想される成長分野。高性能３Ｇ携帯電話に対する需要の拡大が、同製品の成長を支えている。米調査会社ＩＤＣでは、０８年の携帯電話出荷台数は世界で８億９２００万台、うち３Ｇ製品は２億６千万台を占めると予想しており、ＰＳＲＡＭの需要もこれに連動して拡大する見込みだ。 | ||||||||||||