050624_04富士通研究所

050624_04
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月24日	050624_04	富士通研究所	半導体集積回路	メモリー	パソコン・OA機器・LAN用

１つのトランジスタと２つのMJT（磁気トンネル接合）素子の組合わせからなるMRAMの新回路方式

富士通研究所は、１つのトランジスタと、２つのＭＴＪ（磁気トンネル接合）素子（1TR-2MTJ9）を組み合わせて、１つのメモリーセルとするＭＲＡＭ（磁気メモリー）の新回路方式を開発した。これにより、記憶素子のばらつきの影響を受けにくいＭＲＡＭの実現が可能となり、ＭＲＡＭを用いた混載メモリーの大容量化を容易にする。同社では今後、ＭＴＪ素子の微細加工技術の開発など、ＭＲＡＭ技術の実用化に向けた研究開発を推進する。