050531_01サムスン電子

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
5月31日	050531_01	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	パソコン・OA機器・LAN用

初の70nmプロセスを利用した４ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリ

【ソウル支局】韓国のサムスン電子は３０日、初めて７０ｎｍ（ナノメートル）のプロセス技術を使った４Ｇｂ（ギガビット）のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産を開始したと発表した。

同社はこれまでに２５６メガビット、５１２メガビット、１ギガビット、２ギガビット、４ギガビット、８ギガビットの各容量のＮＡＮＤ型を生産してきたが、７０ナノメートルによる生産は今回が初めて。同社では0.025マイクロメートルの超小型メモリーセルのサイズを実現することで４ギガビットのＮＡＮＤ型メモリーを実現した。

同社はさらに３００ミリウエハーの生産ラインを計画より１カ月前倒しで完成させた。「ライン１４」と呼ばれる同ラインは当初月間４千枚の３００ミリウエハーを生産、今年末には１万５千枚に引き上げる。

同ラインは７０ナノメートルによる４ギガビットと９０ナノメートルによる２ギガビットの２種類のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産する。

調査会社ガートナーによると、４ギガビットタイプは世界で今年８０億ドルのＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場の３０％以上を占めるという。