050405_03東北大／日立

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
4月5日	050405_03	東北大／日立	電子材料	記録媒体	デジタル情報家電用

次世代磁気メモリー用世界最高性能素子を開発

東北大電気通信研究所の大野英男教授らと日立製作所のグループが4日、次世代の磁気メモリーに使う世界最高性能の素子を開発したと発表した。

携帯電話やデジタルカメラのメモリーカードなどで実用化されればカードの情報の読み書きを約1万倍高速にできる上、消費電力は変わらないという。

素子は、酸化マグネシウムの絶縁膜を、ホウ素を含むコバルト鉄などの強磁性体の膜2枚で挟んだ構造。温度調整などを工夫して真空容器の中で均一な結晶構造の膜を作ることに成功、素子の性能を示す磁気抵抗比は室温では287%と世界最高クラスを記録した。

日立製作所の高橋宏昌主任研究員は「磁気メモリーは放射線に強く、宇宙空間で使うことも可能で応用範囲は幅広い。2年後をメドに大容量のメモリーを実用化したい」と話している。