050217_01サムスン電子

050217_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
2月17日	050217_01	サムスン電子	半導体集積回路	メモリ	パソコン・OA機器用

70nmの超微細加工技術を使った4Gb　NANDフラッシュメモリ

韓国サムスン電子は16日、回路線幅70nm（ナノメートル）の超微細加工技術を発表した。同技術により、4GbのNANDフラッシュメモリーの量産を図る。

70nmの製造技術は、量産と生産性の効率化、高歩留まりを実現する。これにより、サムスンは製品価格を競合他社より引き下げることが可能となり、フラッシュメモリーチップ市場における地位をより強化することができるとしている。

サムスンは現在、NAND型フラシュメモリー生産の約90%を90nmのプロセス技術で行っているため、その生産量はすでに業界トップ。

しかし70nm技術は90nm設計ルールより生産効率が40%高いことから、同技術の利用で生産量はさらに大幅に拡大する見込みだ。サムスン電子は、今年第２四半期には、NAND型フラッシュメモリー生産の10―15%を70nmの加工技術を利用して行うとしている。

NAND型フラッシュメモリーは、不揮発性チップの一種で、電力が消えても情報は残るという特性を生かし、メモリーカードからデジタルカメラ、USBドライブ、カムコーダー、携帯電話用の外付けストレージ機器などに広く利用されている。