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90ナノ世代以降のシステムLSI用0.8VオンチップSRAM  日立製作所とルネサス テクノロジは九日、ISSCC2005でプロセスノードが90nm世代以降のシステムLSI向けに、動作電圧が0.8Vと低いオンチップSRAM回路技術の開発を発表した。 データ書き込み時にメモリーセルの電源をフローティング（電源と切り離す）状態とする新回路技術により、プロセスの微細化に伴い困難になる低電圧化を解消する0.8V動作を確認、情報端末用システムLSIの高性能化と低消費電力化を両立。90nm以降のシステムLSIで、微細化によって低電圧化、低電力化が非常に困難となるSRAM回路にとって大きな課題を打破する技術として期待される。05年第２四半期（4-6月）に90nm品のサンプル出荷を予定。 従来、システムLSIの高速化はトランジスターの微細化、低消費電力は、電源電圧の低減で実現してきた。そうした中で、処理データ量の大規模化で容量が増大するSRAM回路では、トランジスターの僅かなばらつきが性能に大きく影響、低電圧化が難しくなっている。このためSRAM回路の電源電圧性能が、システムＬＳＩ全体の低電圧化を妨げるという問題が予想されている。 今回の新技術は、まず、メモリーセルに新しいデータを書き込む時に、メモリーセルのデータを保持するための電源をフローティング状態にし、データを書き換えやすい状態に遷移させる。これにより、より低い電圧での書き込み動作が可能となりSRAM全体の低電圧化も可能になった。また。書き込み動作時の不要な電力を削減する“書き込みモニター技術”も開発している。 |
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