151222_01
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
12月22日 |
151222_01 |
富士電機 |
半導体素子 |
ディスクリート |
一般産業用 |
スイッチング動作時の電力損失40%低減の高速ディスクリートIGBT
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高速ディスクリートIGBT (絶縁
ゲート型バイポーラトランジスタ)
「ハイスピードWシリーズ」 |
富士電機は高速ディスクリートIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)「ハイスピードWシリーズ」を販売開始した。
同製品は、IGBTチップの厚みを薄くし微細化。従来製品(同Vシリーズ)と比べ、スイッチング動作時の電力損失(ターンオフ損失)を約40%低減。また、スイッチング動作時の損失を低減(発熱抑制)することで、従来製品(20キロヘルツ程度)に比べて高いスイッチング周波数(20キロヘルツから100キロヘルツ)への対応を実現した。これにより、機器本体が小型化し、トータルコストの低減が可能となった。
製品仕様は、定格電圧650V(定格電流40A/50A/60A)、1200V(定格電流25A/40A)。定格電圧1200V品は9月に発売している。
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