耐圧600V定格電流10/15Aで8ミリ角のGaNパワートランジスタ

パナソニックのＤＦＮ８×８ミリメートルパッ 　ケージ６００ＶエンハンスメントモードＧａＮ 　パワートランジスタ

　パナソニックは８×８×１.２５ミリメートルＤＦＮの業界最小パッケージを採用した耐圧６００Ｖのエンハンスメントモード窒化ガリウム（ＧａＮ）パワートランジスタを開発した。

　７月から耐圧６００Ｖ、定格電流１０Ａ品、１５Ａ品のサンプル出荷を開始し、来春に量産を始める。パナソニックセミコンダクターソリューションズの魚津工場（富山県魚津市）で生産。ＡＣ―ＤＣ電源、バッテリ充電システム、太陽光発電パワーコンディショナ、モータ用インバータなどに供給する。

　表面実装型パッケージを用いることで寄生インダクタンスを１ｎＨに低減し、ＧａＮパワートランジスタ本来の高速スイッチング特性を引き出せた。２００Ｖ／ｎｓの高速スイッチングを実現した。産業用、民生用の各種電力機器の省スペース化、低オン抵抗による省エネ化が図れる。

　従来のＴＯ２２０パッケージ品と比べ実装面積を４３％にできる。パッケージ裏面に露出した金属ソースパッドにより、素子内に発生した熱の効果的な放熱を可能にした。

　また、６インチシリコン基板上に独自のＧＩＴ（ゲート　インジェクション　トランジスタ）構造を採用。ｐ型ゲートの内部電位がゲート直下の電子を排除することでゲートに電圧を印加されない状態で電流が流れないエンハンスメントモードを実現した。

　耐圧６００Ｖ、定格電流１５Ａ品はしきい値電圧１.２Ｖ、オン抵抗５４ｍΩ、ゲート電荷量６.５ｎＣ。耐圧６００Ｖ、定格電圧１０Ａ品はしきい値電圧１.２Ｖ、オン抵抗１５４ｍΩ、ゲート電荷量３ｎＣ。