窒化ガリウム(GaN)を用いたHEMT等のパワーデバイス

　富士通セミコンダクターは、１３年後半から窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたパワーデバイスを本格量産すると発表した。サーバー用電源向けなどから出荷し、１６年３月期にＧａＮパワーデバイスで約１００億円の売上高を目指す。

　ＧａＮを用いたパワーデバイスは、従来のパワーデバイスに比べ、オン抵抗が小さく、高速スイッチング動作が行えるといった特徴を持つ。サーバーやパソコン、産業機器などの電源に用いることで、電源の高効率化、小型化に貢献する。

　富士通セミコンダクターでは、大口径化、低コスト化が容易なシリコン基板上にＧａＮを形成し、ＧａＮパワーデバイスを量産する技術開発に０９年から着手。会津若松工場６インチウエハー量産ラインを立ち上げ、１１年には特定の電源関連パートナー企業向けに試作デバイスの提供を行ってきた。

　このほど、同社はＧａＮによる高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を作製し、サーバー用電源で２・５ｋＷの高出力動作を実証。１３年後半からの量産化にメドをつけた。

　実証では、ＧａＮ　ＨＥＭＴを用いた評価用電源回路で、シリコンによるパワーＭＯＳＦＥＴを上回る変換効率を確認。また、力率改善回路部にＧａＮ　ＨＥＭＴを搭載したサーバー用電源を試作し、２・５ｋＷの高出力動作に成功した。

　「今回の結果は、ＧａＮパワーデバイスの高電圧、大電流用途への道を開くものと考えている」（同社）。