DC-DCコンバータ向けSW性能に優れたパワーMOSFET

　ロームは、DC―DCコンバータ向けに業界最高クラスのスイッチング性能を実現した耐圧30VのパワーMOSFETを開発し、5月から量産を開始した。低損失、高効率のパワーMOSFETに必要な低オン抵抗、低ゲート容量というトレードオフの関係を微細化と独自の低容量構造、新構造の「トレンチ型フィールドプレート構造」を採用することで両立させた。耐圧30V、3種の小型パッケージで16製品をラインアップした。各種機器のDC―DC電源回路の低消費電力化が図れる。

　新開発のパワーMOSFETは、ゲート構造を変更し、ゲート容量を低減。新構造のトレンチ型フィールドプレート構造の採用と微細化により、低ゲート容量と低オン抵抗の両立を可能にした。パワーMOSFETのスイッチング性能指数「FOM（Ron×Qgd）」を同社従来品の16mΩ.nCから8mΩ.nCに50％低減し、業界トップクラスの高効率化を実現した。耐圧30V。

　同期整流型DC―DC電源回路に用いると、同社従来のMOSFETを採用した場合と比べ変換効率を2％改善できる。電力損失も同社従来品比300キロヘルツ　で16％、670キロヘルツ　で18％、1メガヘルツ　で２２％それぞれ改善。機器の低消費電力化に貢献できる。

　生産は前工程がローム本社（京都）、後工程はローム　インテグレイティッド　システムズ（タイランド）。4月にサンプル出荷を開始し、5月から月産能力100万個で量産をスタートした。

　用途に合わせて8ピンHSOPシングル（5.0×6.0ミリメートル）、8ピンHSMT（3.3×3.3ミリメートル）、8ピンHSOPデュアル（5.0×6.0ミリメートル）の3小型パッケージを用意した。HSMT8はHSOP8に比べ実装面積を65％削減。HSOP8デュアルはDC―DC電源回路におけるHighSide用MOSFETとLowSide用MOSFETを複合化した新パッケージ。

　HSOP8シングルで9品種、HSMT8で5品種、HSOP8デュアルで2品種の計16品種を取りそろえた。