20ナノ級プロセス適用の4Gbit低消費電力DDR2モバイルメモリー

　【ソウル支局】韓国サムスン電子はこのほど、業界初の２０ナノメートル級プロセスを適用した４ギガビット低消費電力（ＬＰ）ＤＤＲ２モバイルメモリーの量産を開始したと発表した。

　同社は昨年、線幅３０ナノメートル級プロセスによる４ギガビットＤＲＡＭの量産に着手したが、より微細プロセスに移行することで生産性を向上、コスト競争力を一層強化できると期待。また先進技術は、チップのデータ処理高速化と、大幅な低消費電力を実現し、最新のスマートフォンやタブレット端末の大容量、高性能メモリー要件に対応できるとしている。

　さらに、新チップは次世代の超薄型モバイル機器の要件も満たす。同チップはシングルＬＰＤＤＲ２パッケージに４個集積でき、サムスンはこれをベースに、０.８ミリと超薄型の２ギガバイトメモリーソリューションを開発。

　このパッケージ製品は、３０ナノメートル級４ギガビットＬＰＤＤＲ２チップを４個集積した従来の２ギガバイトソリューションに比べ、約２０％の薄型化を実現。

　さらに、従来品と同じ消費電力で最大１０６６Ｍｂｐｓのデータ処理が可能という。

　サムスンは、今年下半期にはＤＲＡＭ生産全体に占める２０ナノメートル級製品の割合を大幅に拡大し、４ギガビットＤＲＡＭのメーンに据えたい考えだ。

　米調査会社ＩＨＳアイサプライによると、４ギガビットＬＰＤＤＲ２の出荷数は今後大幅に増加し、１２年には全ＤＲＡＭ出荷の１３％を構成。１３年には４９％まで拡大し、ＤＲＡＭの主流になるとみられている。