メガワット級の新エネ発電システム用IGBTモジュール

　三菱電機は３１日から、メガワット級の太陽光発電システムや、風力発電システムのパワーコンディショナなどの電力変換装置向けのＩＧＢＴモジュール「ＭＰＤシリーズ」の新製品として、第６世代ＩＧＢＴチップを搭載した３製品を発売する。サンプル価格は５万円から。

　メガワット級の大規模な新エネルギー発電システムでは、パワーコンディショナなどの電力変換装置の小型化、効率化が求められている。

　同社は、メガワット級の電力を扱うＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）モジュールで、耐圧１２００Ｖ／定格電流容量９００Ａの製品など３種をＭＰＤシリーズとして０２年から発売。新製品は、さらなる小型化、高効率化のニーズに対応するため、新たに第６世代ＩＧＢＴチップを搭載した。

　新世代ＩＧＢＴチップ採用により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を従来比約１５％低減。ゲート容量を従来比３―５割程度、低減した。最大接合温度定格も１７５度Ｃと、従来品より２５度Ｃ向上し、電力変換装置の小型化に貢献する。

　外形端子配列は、従来品と互換性を確保。絶縁耐電圧は４千Ｖとなっている。

　新製品は、耐圧１２００Ｖ／最大定格電流９００Ａ品、同１２００Ｖ／同１４００Ａ品、同１７００Ｖ／同１千Ａ品の３種。