携帯機器向け2ミリ角の超小型低損失のMOSFET８製品

　ルネサスエレクトロニクスは、スマートフォンなど携帯機器向けパワー半導体として、２ミリメートル角サイズの超小型パッケージを採用した低損失MOSFET8製品のサンプル出荷を今月開始する。量産は6月から順次開始し、13年1―6月に8製品合計で月産300万個の生産を計画する。

　新製品は、2ミリメートル角サイズの超小型パッケージで、業界最高水準の低オン抵抗を実現する。20V耐圧の「μPA2600」のオン抵抗は、9.3mΩ（4.5V時・標準値）、30V耐圧の「同2601」で10.5mΩ（10V時・同）。

　大面積の高性能チップを小型パッケージに配置し、ヒートシンク外出しのパッケージにより、実装基板に効率良く放熱できる。従来の3×2ミリメートルサイズパッケージ品と比較して約３割、3ミリメートル角品に比べ６割の実装面積の削減が図られる。

　8製品は、耐圧12―30Vの製品が中心。Pチャンネル型、Nチャンネル型、P、Nチャンネルの１パッケージ型品などがそろう。サンプル価格は30円。

　携帯機器のロードスイッチ（LSＩなどに送る電力のオンオフ）をはじめ、充放電制御やＲＦアンプのオンオフ制御、過電流遮断スイッチなどの用途を見込んでいる。