シリコンカーバイド（SiC）パワー素子のみ使用のパワーモジュール

　ロームは２２日、世界で初めて全てのパワー素子にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）パワー素子を採用したフルＳｉＣパワーモジュール（樹脂ケースタイプ）を開発し、今月下旬から量産を開始した。

　まず、産業機械向けの定格電圧１２００Ｖ／定格電流１００Ａ品から量産を始めた。１年以内に１７００Ｖ／３００Ａまで定格を拡大、さらに高電圧、大電流化を図り、産業機械のほか、電気自動車／ハイブリッド車、電車、スマートグリッド送配電の市場ニーズに応える。

　価格は現在シリコン（Ｓｉ）絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュールの３―５倍。数年以内に同２倍にまで引き下げ市場拡大を図る。

　ローム本社工場（京都市）に月産能力数千モジュールの量産体制を敷いた。

　山葉隆久常務は「ＳｉＣパワーデバイスは今後大きく伸びる事業だ。ロームの四つの成長エンジンのひとつであるパワーデバイスの主力製品として積極的に取り組んでいく。

　１１年３月期１７億円、１２年３月期３５億円の見込みのＳｉＣ関連事業売上高を１３年３月期５０億円、１５年３月期１６０億円にしたい。１２年３月期４００億円、１３年３月期は前期比１０％以上伸ばす計画のシリコン（Ｓｉ）パワーデバイス事業と合わせてパワーデバイス事業を拡大していく」と言う。

　新開発のフルＳｉＣパワーモジュールは、同社が１０年から量産を開始したＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴとＳｉＣ―ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）のペアを２ペア、素子数で１０素子以上搭載したフルＳｉＣ品。ＳｉＩＧＢＴ、Ｓｉダイオードで構成した従来のＳｉＩＧＢＴモジュールに比べスイッチング損失を８５％低減。ＳｉＩＧＢＴ、ＳｉＣダイオードで構成したＳｉＣハイブリッドパワーモジュールと比べても８１％スイッチング損失を低減した。低損失のため、熱の発生が少なく、冷却装置を小さくでき、機器全体の小型化が可能。

　ロームではＳｉＣパワーデバイス／パワーモジュールの生産拡大に向けて１５年３月期までの３年間で累計１０億円の設備投資を行う。ＳｉＣ基板を生産するサイクリスタル社（ドイツ・ニュールンベルグ）はすでにＳｉＣ関連事業売上高１６０億円の生産能力を備えているため、ＳｉＣエピ成長を行うロームつくば（茨城県つくば市）に１３年度後半に現在の４インチウエハーラインに加え、６インチウエハラインを導入。後工程を担当するローム・アポロ（福岡県八女郡）は現在の４インチラインに転用している６インチラインの追加ＳｉＣ設備を倍増。京都本社工場のモジュール組立ラインも倍増する。