低オン抵抗で耐圧40-100Vの車載用パワーMOSFET13品種

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）は１２日、耐圧４０―１００Ｖの車載用パワーＭＯＳＦＥＴシリーズの新製品１３品種を発売した。標準論理レベルで動作する製品も含む。従来の内燃機関の自動車、マイクロハイブリッド車、ハイブリッド車など、負荷の大きい用途向け。

　 新製品は、全てオン抵抗（内部抵抗）が低くなるように最適化した。耐圧５５Ｖの製品ではオン抵抗が８ｍΩ（最大値）を達成している製品もある。標準論理レベルで動作するＭＯＳＦＥＴはゲートの駆動が容易で、部品点数を削減し、回路基板の面積を小さくできる。

　 新シリーズは、ＩＲ社の確立されたトレンチ（溝）技術で製造。ゼロ・ディフェクトを目標とするＩＲ社の車載品質イニシアチブの対象製品として、完全自動化されたウエハー・レベルの目視検査に加え、動特性や静特性の試験を実施。

　 車載部品の品質規格ＡＥＣ―Ｑ１０１では、１千サイクルの温度試験の後でオン抵抗の変動が２０％未満であることが要求されるなか、５千サイクルの温度試験を行った結果、最大オン抵抗の変動は、わずか１２％に抑えている。