1.8Vの低電圧駆動でQ値22万のMEMS共振器

　パナソニックは７日、ナノエレクトロニクス研究開発の世界有数のコンソーシアムｉｍｅｃ（ベルギー・フランダース州ルーベン市）と共同で、業界最高Ｑ値２２万のＭＥＭＳ共振器を開発した、と発表した。

　 単結晶シリコン（Ｓｉ）の異方性エッチングにより形成した三角柱形状の振動部と、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）薄膜で真空封止するウエハーレベルパッケージ技術で開発に成功した。

　 ねじりモーメントを効率的に与える独自の電極配置、振動エネルギー損失が小さいねじり振動モードを採用することで、共振周波数２０メガヘルツ帯において業界最高のＱ値２２万のＭＥＭＳ共振器を実現した。

　 チップサイズ０.４×０.４ミリまで小型化することができる。振動部と電極とのギャップを１３０ナノメートルまで狭小化することで、１.８Ｖでの低電圧駆動が可能。発振回路ＩＣで従来必要だった昇圧回路を不要にした。

　 低温プロセスに対応したＳｉＧｅ薄膜を用いた、ウエハーレベル薄膜真空パッケージ技術によって、振動部の機械的振動が阻害されないように形成された空洞部内の圧力を１０Ｐａ以下で真空保持。マイナス４０―プラス１４０度Ｃの広い温度範囲で、安定した共振器特性を実現した。

　 空洞部のサイズを極小化することで、４マイクロメートルの厚さのＳｉＧｅ薄膜で１０ＭＰａの耐圧性を実現した。樹脂モールド工法にも対応できる。