32ナノプロセスによるBDプレイヤー用システムLSI

　パナソニックは１５日、最先端の３２ナノメートルプロセスＬＳＩを１０月から量産する、と発表した。

　 ベルギーの先端研究開発機関ｉｍｅｃ（インター・ユニバーシティ・マイクロエレクトロニクス・センター）での開発プログラム、ルネサス　エレクトロニクスとの共同開発をベースに世界初のＨｉｇｈ―ｋメタル・ゲートファーストプロセスによる３２ナノメートル世代トランジスタの量産技術を確立。パナソニック　セミコンダクター社魚津工場（富山県魚津市）Ｅ棟で量産する。

　 ３２ナノメートルプロセスＬＳＩの量産は、今春から量産に入ったインテルに続いて世界で２社目。デジタル家電統合プラットフォームＵｎｉＰｈｉｅｒ（ユニフィエ）シリーズとして、まずブルーレイ３Ｄディスク再生に対応可能なブルーレイディスクプレヤー用システムＬＳＩから量産する。パナソニックグループ内向けに供給し、その後、外販する。

　 インテル社が高速性能を出しやすいゲートを最後に形成するＨｉｇｈ―ｋメタル・ゲートラストプロセスを用いているのに対し、パナソニックは従来のプロセス技術、設備が使えるゲートを先に形成するＨｉｇｈ―ｋメタル・ゲートファーストプロセスを採用。

　 月産処理枚数１万枚強（６５ナノメートルプロセス換算）の３００ミリウエハーに対応した魚津工場Ｅ棟で、主力の４５ナノメートルプロセスＬＳＩや６５ナノプロセスとの混在生産方式で、３２ナノメートルプロセスＬＳＩの量産を立ち上げる。

　 量産する３２ナノメートルプロセスＬＳＩは、４５ナノメートルプロセスでＳｉＯＮ/ポリシリコンだったゲート構造をＨｉｇｈ―ｋ/メタルゲートにし、課題だったリーク電流を抑えた。また、４５ナノメートルプロセスで誘電率２.９のＬＫ膜を採用していたＣｕ配線絶縁膜に誘電率２.４のＥＬＫ膜を用いた。ゲート絶縁膜はＨｆ（ハフニウム）系のＨｉｇｈ―ｋ材料、ゲート電極材料にはＴｉ（チタン）系メタル材料の新規材料を採用した。

　 今回の３２ナノメートルプロセスを用いて量産する３Ｄ対応ブルーレイディスクプレヤー用システムＬＳＩは、システムＬＳＩ、ＨＤＭＩ　Ｔｘ、制御マイコンを１チップ化した。チップサイズ約６ミリ角。外部メモリー４ギガビットが必要。Ｈｉｇｈ―ｋゲート絶縁膜厚さ３ナノメートル、メタルゲート電極厚さ１０ナノメートル。

　 ＣＭＯＳトランジスタ性能を最大４０％向上。しきい値電圧が異なる複数のトランジスタを使って消費電力を低減するマルチＶｔｈプロセス技術とクロックゲーティング、クロック周波数制御、電源分離/遮断制御のシステム技術により、従来の同社４５ナノプロセスＬＳＩに比べＬＳＩ消費電力を約４０％、実装面積を約３０％削減した。