チャージトラップ技術によるNAND型フラッシュメモリ

　エルピーダメモリと米スパンション社は、世界で初めてチャージトラップ技術によるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産化にメドが付き、１１年１―３月から量産を行うと発表した。

　 チャージトラップ型のＮＡＮＤメモリーは、従来のフローティングゲート型ＮＡＮＤメモリーに比べ、セル構造がシンプルでチップサイズを小さくでき、微細化にも適しているとされる。動作速度も、読み出しで約２倍、書き込みでも約１５％高速になる。

　 両社が開発に成功したのは、１.８Ｖ駆動の４ギガバイト容量のシングルレベルセル（ＳＬＣ）品。１０―１２月からサンプル出荷を開始し、１１年１―３月から量産する（スパンションは１１年４―６月からの量産を予定）。生産はエルピーダの広島工場で行う。

　 エルピーダでは、ＮＡＮＤメモリーとＤＲＡＭを組み合わせたマルチチップ製品として、主に携帯電話向けに販売する計画。

　 両社では２ギガバイト、１ギガバイト容量品のほか、３Ｖ駆動品の開発を進めている。