100121_03
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
1月21日 |
100121_03 |
ハイニックス半導体 |
半導体集積回路 |
メモリー |
移動体通信機器用 |
モバイル機器向け低消費電力の2GビットDDR2 DRAM
【ソウル支局】韓国のハイニックス半導体はこのほど、モバイル向けに先進40ナノメートル級プロセス技術を使用した世界初の低消費電力2ギガビットDDR2 DRAMを開発した。
同メモリーは、現行のモバイルDRAMソリューションでは最速となる1066メガbpsで動作。MCP(マルチチップパッケージ)またはPoP(パッケージ・オン・パッケージ)製品として、高密度モバイルDRAMソリューションの提供も可能だ。
動作電圧1.2V。32メガビットI/Oで、毎秒最大4.26ギガバイトのデータ処理を実現している。消費電力は、既存のモバイル用メモリーソリューションの50%以下という。
米国の電子部品標準化推進団体、JEDEC規格に準拠。次世代スマートフォン、スマートブック、タブレットPCでの利用を想定し設計されており、ハイニックスは今年上半期にも同メモリー製品の量産を開始する予定だ。
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