マルチモード・マルチバンド対応のRFトランシーバLSI各種

　富士通マイクロエレクトロニクスは、業界に先駆け１０年に次世代携帯電話通信技術であるＬＴＥに対応したＲＦトランシーバＬＳＩを製品化する方針。第３世代携帯電話通信方式（３Ｇ）対応品も含め、携帯電話端末向けＲＦトランシーバＬＳＩ市場で１０年度に１００億円の売上高を見込む。

　同社はこのほど、米フリースケールセミコンダクタ社から携帯電話端末向けＲＦトランシーバに関する技術ライセンスを取得し、ＲＦトランシーバ事業に参入。同時に同事業を縮小しているフリースケール社の１３０人以上の開発スタッフを米国法人で雇用。実質的にフリースケール社の同事業を継承した。製品製造についても、フリースケールと同様にＴＳＭＣへの外部委託による対応を継続する。

　 同事業参入に合わせて、携帯電話関連製品を扱うＡＳＳＰ事業本部ワイヤレス・プロダクト事業部を新設。同事業部の三橋雅人部長代理兼マーケティング部長は「以前から携帯電話用半導体を扱う上で、ＲＦトランシーバ分野への参入を検討してきた。ＬＴＥのサービス開始を控えるタイミングの良い時期に、技術ライセンスを取得し早期事業立ち上げが可能となった」とする。

　 ９月には第１弾製品としてＧＳＭ、ＵＭＴＳ、ＨＳＰＡなど２Ｇ、３Ｇの５種の通信方式に対応するマルチモード・マルチバンド対応品のサンプル出荷を開始した。

　 フリースケールから継承した先端のデジタル、アナログのミックス回路技術を用いベースバンドＬＳＩ―ＲＦＬＳＩ間インターフェイス規格「ＤｉｇＲＦ」にも対応。ＣＰＵを内蔵している点も大きな特徴で、ソフトウエア変更によるフレキシブルな対応周波数変更を実現する。すでに国内で採用が決定している。

　 「今後も優れたＲＦ信号処理特性、低消費電力性能などとともに、ソフトによるマルチモード対応製品を開発し、差異化を図る」とする。

　 主戦場となるＬＴＥに対応した製品についても「サービス開始に合わせ、業界に先行する形でリリースしたい」として１０年にサンプル出荷を開始する。

　 同社ではＲＦトランシーバ以外にも、電源ＩＣなど携帯電話向け半導体製品の拡充してＬＴＥの普及とともに世界的な携帯電話用半導体メーカーとしての地位を狙う方針。

　 パワーアンプやベースバンドＬＳＩなどの製品分野への参入も今後検討していく。

　 「ＬＴＥは日本市場が世界に先駆けて普及することになるだろう。日本の半導体メーカーとして国内で実績を積みながら、海外展開を加速させていく」としている。