回路幅40ナノメートル技術を使用、8Gビット「Flex-OneNAND」フュージョンメモリー

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は１０日、回路線幅４０ナノメートルの先進プロセスを使用した８ギガビット「Ｆｌｅｘ―ＯｎｅＮＡＮＤ」フュージョンメモリーの生産を開始したと発表した。４０ナノメートル技術の導入により、６０ナノメートル級プロセスを使用した最初の製品、４ギガビット「Ｆｌｅｘ―ＯｎｅＮＡＮＤ」に比べ、生産性を最大で１８０％向上させることができるという。

　 「Ｆｌｅｘ―ＯｎｅＮＡＮＤ」は、サムスンが０７年に開発したメモリーデバイスで、コードとデータ処理の両方に高速性、高信頼性が求められる用途向けに設計されている。

　 セル当たり１ビット／セルのＳＬＣ（シングルレベルセル）と、２ビット／セルのＭＬＣ（多値セル）構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを１個のチップに統合。ＭＬＣ部分は、通常のＭＬＣ　ＮＡＮＤ型フラッシュと同程度の書き込み速度と、最大３倍高速の読み取り速度を提供。ＳＬＣ部分は通常のＭＬＣ　ＮＡＮＤより最大４倍高速の読み込み速度、最大３倍の書き込み速度を提供する。

　 アプリケーション設計者は、付属のソフトウエアを調整することで、ＳＬＣとＭＬＣ　ＮＡＮＤ型フラッシュの比率を自由に変えることが可能で、組み込みフラッシュの性能と効率を最大限にすることができる。また、同チップは１個のチップで２つのメモリー機能を担うため、プリント基板上のメモリー実装面積を縮小できるほか、伝送ノイズの低減により性能も向上。

　 現在、「Ｆｌｅｘ―ＯｎｅＮＡＮＤ」は高性能スマートフォンに採用されているが、サムスンは０９年末までにフルＨＤＴＶやＩＰＴＶなどの新分野にも市場を拡大する考えだ。