090224_01
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
2月24日 |
090224_01 |
ラティスセミコンダクター |
半導体集積回路 |
セミカスタムIC |
通信インフラ用 |
65ナノプロセス採用の高性能・低消費電力の新FPGA「LatticeECP3」
米ラティスセミコンダクターは23日(現地時間)、高付加価値性を維持しながら業界最低レベルの低消費電力、低価格を実現したFPGA「LatticeECP3」を発表した。新製品は、富士通の最新低消費電力プロセス技術で量産に入っている。ECPシリーズの第3世代で、同社としては初の65ナノメートルプロセス技術による製品だ。
ECP3は、XGUIジッタ規格準拠のマルチプロトコル3.2ギガbpsSERDES、DDR3メモリーインターフェイス、パワフルなDSP機能、高集積オンチップメモリーなど、充実したロジックとメモリー規模を持つ。
さらに、最大149KLUTまで提供しながら、消費電力や価格を競合他社のSERDES搭載製品に比べ、約半分に抑えた。スタティック消費電力では80%減少させている。
ECP3は、最も高性能(ハイエンド)と低コストの中間に位置するアプリケーションにフォーカスして開発された。従って、ECP3が主に対象とするアプリケーションは“消費電力とコスト要求の厳しい”無線通信インフラやワイヤライン通信アクセス機器、ビデオ・イメージ関連など大量の需要が見込まれる分野となっている。
ECP3ファミリーは、5品種で構成する。ECP3―70(LUK規模67K)とECP3―95(同92K)は既に量産出荷を開始、残る3製品についても今年半ばから年末にかけての出荷を予定している。
ECP3のスムーズな市場導入を実現するために設計ツール「ispLEVER7.2サービスパック」も同時に発表している。
また、各種規格に対応するために供給する開発ボードは次の通り。
▽「シリアルプロトコル・ボード」(DDR2/DDR3、PCle、イーサネット)▽「I/Oプロトコル・ボード」(2DDR3DIMM、SPI4.2、ADC/DAC)▽「ビデオボード」(SMPTE、7:1LVDS)。 |