業界初の線幅40ナノプロセス使用のDRAMチップとモジュール

　韓国のサムスン電子はこのほど、業界初の線幅４０ナノメートル級のプロセス技術を使用したＤＲＡＭチップおよびモジュールを開発したと発表した。

　 １ギガビットのＤＤＲ２チップと、これを使用した容量１ギガバイト、通信速度毎秒８００メガビットのＤＤＲ２　ＳＯＤＩＭＭは、いずれも米インテルのモバイルチップセット「Ｅｘｐｒｅｓｓ　ＧＭ４５」シリーズ対応製品として、インテルからプラットフォーム評価認定を受けている。

　 ４０ナノメートル級のプロセス技術への移行によって、チップを市場に投入するまでの期間が前世代プロセスより５０％短縮され、わずか１年で新製品をリリースできるようになるという。サムスンは、４０ナノメートル級の技術を使用し、０９年末までには２ギガビットのＤＤＲ３チップを開発する予定だ。

　 サムスンによると、新４０ナノメートル技術を使用したチップは、５０ナノメートルチップに比べ約３０％、消費電力を低減できる。また、より微細の技術は、５０ナノメートル技術に比べ約６０％、生産性を向上させることができるという。さらにサムスンでは、この４０ナノメートル技術により、ＤＤＲ４など超高性能ＤＲＡＭ技術の開発にも弾みがつくと期待している。