サーバー向けを狙った50ナノプロセスによる4ギガビットDDR3 DRAM

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、業界初となる回路線幅５０ナノメートル（ナノは１０億分の１）プロセス技術を使用した４ギガビット　ＤＤＲ３　ＤＲＡＭを開発したと発表した。データセンター向けサーバーを主要ターゲットに提供する。

　 ５０ナノメートルは現在のところ、ＤＲＡＭチップ製造では最も微細の加工技術。これを使用することで、１枚のシリコンウエハーから生産されるチップの数量は大幅に増加。メーカーは低消費電力、高速のチップを効率良く生産することができる。サムスンは、５０ナノメートル技術によるＤＤＲ３として、既に１ギガビット、２ギガビット製品をリリースしている。

　 今回開発した４ギガビットのＤＤＲ３チップは、サーバー向けの１６ギガバイト　ＲＤＩＭＭ、ワークステーションやデスクトップＰＣ向けの８ギガバイト　ＵＤＩＭＭ、ノートＰＣ向けの８ギガバイトＳＯＤＩＭＭなどのメモリーモジュールを構築できる。

　 二つのダイを１パッケージに集積するデュアルダイ・パッケージ技術を採用しており、最大３２ギガバイトまでのモジュール構成が可能。これまで最も高密度とされた、２ギガバイト　ＤＤＲ３を使用したメモリーモジュールの２倍の容量を実現する。

　 企業間ではデータセンターのサーバー数削減を望む声が高まっているが、４ギガビット　ＤＤＲ３は、こうしたニーズに対応するのに非常に重要な役割を担うとサムスンは述べている。

　 低消費電力設計の新ＤＤＲ３は、１.３５Ｖ電圧で動作。スループットは、１.５Ｖで駆動するＤＤＲ３より２０％向上、最大毎秒１.６ギガビットの伝送速度をサポートする。

　 １６ギガバイトのモジュール構成では、２ギガビット　ＤＤＲ３を使用した場合より４０％、消費電力を抑制することが可能だ。

　 米調査会社ＩＤＣによると、ＤＤＲ３　ＤＲＡＭの世界市場は、０９年にはＤＲＡＭ市場全体の２９％、１１年には７５％を占める。また２ギガビット以上のＤＤＲ３　ＤＲＡＭがＤＲＡＭ市場全体に占める割合は、０９年の３％から１１年には３３％に拡大する見込みという。