カメラつき携帯電話向け超小型のキセノンフラッシュ用IGBT「TIG058E8」

　三洋半導体（田端輝夫社長）は、カメラ機能付き携帯電話向けに、超小型のキセノンフラッシュ用ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）「ＴＩＧ０５８Ｅ８」を開発、２月からサンプル出荷する。量産開始は５月で、月産３００万個を計画している。同社は、ＤＳＣ（デジタルカメラ）のキセノンフラッシュ用ＩＧＢＴでは世界シェア４０％を持っている。今回の新製品投入により、カメラ付き携帯電話市場でもシェア拡大を狙う。

　カメラ機能付き携帯電話の普及とともに、ＤＳＣ同様、画質向上が強く求められるようになってきている。

　しかし、スペース上の制約からこれまで、キセノンフラッシュは搭載されておらず、暗所での撮影では高画質化の要求に十分応えられていなかった。

　今回、三洋半導体が開発した新製品は、独自の半導体微細加工技術による搭載チップの性能向上と、独自のボンディング・ワイヤレス外形技術を融合することで、キセノンフラッシュの調光に必要な性能は現行機種と同等を維持しながら、実装面積を従来比で約６０％削減できる超小型を実現した。

　重量も約５０％減とした。実装高さは０.９ミリメートルで、業界最薄クラスを実現している。

　ＥＣＨ８の外形サイズは２.８×２.９×０.９ミリメートル、重さ０.０２グラム。

　Ｉｃｐ＝１５０Ａの発光動作が可能。

　充電時間が業界最速レベル、ＶＲＲＭ８００Ｖと高耐圧を特徴とする業界最小外形（ＳＯＤ―３２３）のキセノンフラッシュ回路用ＦＲＤ（フラッシュ・リカバリ・ダイオード）の新製品ＲＥ０２０８ＤＡも、同時出荷を計画している。

　「当社は、フラッシュ用ＩＧＢＴ分野では�ｂPメーカーと自負している。携帯電話の市場規模はＤＳＣに比べ１ケタ多い。ここでの搭載が進めば、販売数量を飛躍的に伸ばすことができる。ＲＥ０２０８ＤＡと組み合わせ、携帯電話でもＤＳＣ並みのきれいな撮影が可能な“キセノンフラッシュ回路ソリューション”を提案していきたい」（パワーマネジメント事業本部・近藤安生取締役本部長）。