回路線幅54ナノプロセス採用の2ギガビットモバイルDRAM

　【ソウル支局】韓国のハイニックス半導体は３日、回路線幅５４ナノメートルのプロセス技術を使用した世界初の２ギガビットモバイルＤＲＡＭを開発したと発表した。大容量、低消費電力、高速動作、小型サイズとモバイル製品の主要要件をすべて満たす同ＤＲＡＭは、０９年上半期にも量産出荷される予定だ。

　同製品は、現行の１ギガビットモバイルソリューションの２倍の記憶容量を提供する。マルチ・チップ・パッケージ（ＭＣＰ）、パッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）のプラットフォームでは、業界最高密度のモバイルＤＲＡＭ製品となる。

　１.２Ｖ電源で最大毎秒４００メガビットの動作速度を実現、３２ビットＩ／Ｏで毎秒最大１.６ギガバイトのデータを処理できる。消費電力は既存のメモリー製品より低い。

　同チップは搭載される機器のスペックに合わせ、１つのチップで様々なデータ処理を行えるハイニックスの「ワンチップ・ソリューション」機能を装備。このため、ＳＤＲＡＭやＤＤＲ　ＤＲＡＭインターフェイス、また×１６や×３２ビット構成など様々な顧客ニーズに対応できる。

　米電子部品・半導体標準化団体、ＪＥＤＥＣの規格に準拠し、ＭＩＤ（モバイル・インターネット機器）やＵＭＰＣ（ウルトラ・モバイルＰＣ）などの次世代アプリケーションに最適、とハイニックスは自信を見せる。