電力損失を30％低減した大容量向け産業用IGBTモジュール「High　Power　Module」

　富士電機デバイステクノロジーは、第５世代ＩＧＢＴ（絶縁型バイポーラトランジスタ）Ｕ４シリーズとして、業界トップクラスの熱伝導性・低損失および低ノイズを実現することで、従来と同じパッケージサイズでより大きな電流定格に対応した「Ｈｉｇｈ　Ｐｏｗｅｒ　Ｍｏｄｕｌｅ」を開発、１０月から順次販売を開始する。価格は５万円から１０万円。

　新製品は、基板材料としてＳｉＮ（窒化ケイ素）を使用することで、より大きな電流定格への対応を可能にした。また、電極構造を従来のプレーナー構造からトレンチ構造に変えることで表面積を拡大し、電流密度を上げている。

　さらに、ノイズの発生を抑えるとともに、電力損失を従来比３０％低減しており、使いやすさと変換効率アップによる省エネに貢献する。

　これらの技術により、従来製品と同じパッケージサイズで１２００Ｖ／６００―３６００Ａ、１７００Ｖ／６００―３６００Ａと、より大きな電流定格への対応を可能としている。

　同社では、このＩＧＢＴモジュールを、産業インフラ分野で使用される高圧・大容量インバータや風力発電システムの電力変換装置向けに、０９年には5000台／月の販売を目指す。