ハンディー機器などの送信電力増幅用で高効率と静電気放電イミュニティレベル４の高信頼性を実現した高周波パワーMOSFET

　ルネサス　テクノロジは、ハンディ無線機などの送信電力増幅用に、業界最高クラスの高効率と静電気放電イミュニティレベル４の高信頼性を実現した高周波パワーＭＯＳＦＥＴで、１Ｗ出力用の「ＲＱＡ００１０」と０.２５Ｗ出力用の「ＲＱＡ００１４」を開発。ＲＱＡ００１０は８月から、ＲＱＡ００１４は９月からサンプル出荷を開始する。

　サンプル価格は、それぞれ３２円と２１円。１０月から月２０万個で生産を開始し、０９年１０月には同５０万個を予定している。

　新製品は、新プロセスの採用により、３.６Ｖ動作時にＲＱＡ００１０が電力付加効率６０％、ＲＱＡ００１４が同５５％と、業界最高クラスの効率を実現。特に２製品で構成した２段アンプでは、３.６Ｖ動作で出力１.２Ｗと、業界トップレベルの性能を実現している。

　また、静電気放電イミュニティ試験については、静電気放電による破壊メカニズムを解析し、破壊個所のデバイス構造の最適化を行うことにより、高効率特性を維持したまま２０ｋＶ以上を達成し、静電気放電イミュニティレベル４を実現しており、無線機器での高信頼性が図られる。

　ＲＱＡ００１４は主に送信用電力増幅器のドライバー用、ＲＱＡ００１０はパワーアンプ用に適している。使用周波数帯は、業務用無線などで使われる１７５メガ、５００メガヘルツのほか、携帯電話で使われている８００／９００メガヘルツ帯でも使用できる。

　パッケージは、実績のある小型のＵＰＡＫ（４.５×２.５×１.５ミリメートル）で完全鉛フリー品となっている。