高効率化とCPUの高性能化に対応した大電流と低電圧化が必要なサーバーやノートPC用レギュレータ向け0.18マイクロの微細製造プロセスでオン抵抗を従来の第9世代から約30％低減した第10世代品のパワーMOSFET

　ルネサス　テクノロジは、サーバーやノートＰＣのレギュレータ向けパワーＭＯＳＦＥＴの同社第１０世代品シリーズとして、薄さ０.８ミリを実現する超薄型パッケージ「ＷＰＡＫ」を採用した製品の量産を開始した。ハイサイド用「ＲＪＫ０３６４ＤＰＡ」（サンプル価格５０円）と、ローサイド用「同０３４６ＤＰＡ」（同１００円）などをそろえる。

　同社の第１０世代パワーＭＯＳＦＥＴは、０.１８マイクロメートルの微細製造プロセスの導入や回路設計の最適化を行い、さらなる高効率、低損失化が図られている。オン抵抗を従来の第９世代品に比べ約３０％低減したのに加え、スイッチング損失、駆動損失についても前世代と同一オン抵抗時で約３割程度、特性を改善している。

　 第１０世代プロセスの優れた特性に加え、パッケージレベルでの特性改善も実施している。

　 従来、一般的な金ワイヤによるボンディングよりもオン抵抗を半減し、低コストなアルミリボンによるボンディング構造を採用するなどした。

　 低いオン抵抗が求められるローサイド用のパワーＭＯＳＦＥＴ「同０３４６ＤＰＡ」は、アルミリボン構造などにより、平均１.５ｍΩ（ＶＧＳ＝１０Ｖ時）、最大でも２.０ｍΩ（同）の業界最小クラスのオン抵抗を実現している。

　 スイッチング損失の低減が重視されるハイサイド用「ＲＪＫ０３６４ＤＰＡ」でも、ドレイン・ゲート間電荷量（Ｑｇｄ）を２.２ｎＣと業界最小クラスに抑えた。

　 サーバー・ノートＰＣ用レギュレータは高効率化とともに、ＣＰＵの高性能化に対応した大電流、低電圧化対応が必要になっている。

　 同社第１０世代品はこれら市場ニーズに対応するだけでなく、パワーＭＯＳＦＥＴの使用点数削減などにも貢献する。また、０.８ミリ厚の超薄型パッケージＷＰＡＫにより、実装面積の限られるノートＰＣなどに最適となっている。

　 ＷＰＡＫパッケージは、８ピンＳＯＰとほぼ同じ５.３×６.１ミリサイズで、ピン配置も８ピンＳＯＰと互換性がある。

　 同社では、第１０世代品として既に８ピンＳＯＰ品や、独自のバンプ接合技術を使った独自パッケージ「ＬＦＰＡＫ」品の量産を開始している。

　 ７―９月には、月産２千万個の供給体制で第１０世代品の提供を行う。