携帯電話のUMTSとGSM/EDGEのデュアルモードなど７バンドに対応し従来の４チップ構成に比べ実装面積を５６％削減可能なため世界で通話が出来る小型低消費電力の携帯電話を１チップ化できるRF-LSI

　松下電器は、携帯電話のＵＭＴＳとＧＳＭ/ＥＤＧＥのデュアルモードに対応したＲＦ−ＬＳＩを開発した。ＵＭＴＳ/ＧＳＭ/ＥＤＧＥの７バンド対応で、世界で通話ができる小型、低消費電力の携帯電話を１チップで実現できる。
　 今月中旬からサンプル出荷を開始し、同時に業界に先駆けて量産に入る。前工程は砺波工場で行い、後工程は外部ファブを使う。

　 ＵＭＴＳとＧＳＭ/ＥＤＧＥのデュアルモードに対応するために必要だった従来の４チップ構成に比べ外付け部品を含め高周波回路部の実装面積を５６％削減できる。

　 開発したＲＦ−ＬＳＩは、ＵＭＴＳ/ＧＳＭ/ＥＤＧＥ対応の送信・受信の無線回路と送信ＤＡコンバータと受信ＡＤコンバータ、インターフェイスからなるアナログベースバンド回路を１チップ化した。

　 携帯電話用高周波ＬＳＩで初めてバイポーラトランジスタのベース材料にこれまでのシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）に替えてシリコンゲルマニウムカーボン（ＳｉＧｅＣ）を採用。トランジスタの高周波特性を向上。従来の０.２５マイクロメートルのデザインルールを０.１８マイクロメートルに微細化したＢｉＣＭＯＳプロセスを用い、チップの小型化、低消費電力化を図った。

　 東京工業大学・松沢研究室の開発した低電力ＡＤコンバータ回路技術を用い、従来３本だった電流源を１本にしてもオペアンプ入出力バイアスのずれによる出力部のダイナミックレンジの狭さからくる波形の歪をなくした。

　 これにより、従来２.８５ＶだったＡＤコンバータ電源電圧を１.８Ｖにでき、ＡＤコンバータの消費電力を４０％削減、ＬＳＩの受信時消費電力を１０％削減できた。

　 このほか、高周波に最適な素子/回路ブロック間分離技術としてこれまでの深さ１マイクロメートル弱のシャロートレンチから深さ約３マイクロメートルのディープトレンチに替え、信号の回り込みを抑え、回路の相互干渉の大幅軽減とチップの小型化を可能にした。

　 新開発のプロセスデザインキットの採用で実測とほとんど乖離のない回路設計が可能となった。