070831_03
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
8月31日 |
070831_03 |
フェアチャイルド |
半導体素子 |
ディスクリート |
一般産業用 |
1.1Vと極めて低い飽和電圧を特徴とする、ソーラー・インバータなどに最適な600V、30Aの新型IGBT
フェアチャイルドセミコンダクタージャパンはこのほど、ソーラー・インバータ、溶接機、無停電電源(UPS)などの低周波数(50―400ヘルツ)の産業アプリケーションの低伝導損失ニーズに対応する600V、30Aの新型IGBT「FGH30N60LSD」を発表した。価格は8.70ドル(1000個購入時の単価)。
このIGBTは、極めて低い飽和電圧(1.1V)を特徴とし、低周波数の条件を満たしながら、システム効率を高めることを目的に設計されている。
ソーラー・インバータなどの、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数の両方を使う産業用アプリケーションでは、さらにエネルギー効率を高めるために、このIGBTと同社のSuperFET FRFET「FCH47N60F」を併用することができる。
このFCH47N60Fは、最大250キロヘルツの高い動作周波数と極めて低いオン抵抗(0.062Ω)を提供する。
FGH30N60LSDは、MOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を兼ね備えたMOSゲートの高電圧スイッチング・デバイスで、ファスト・リカバリ・ダイオード(FRD)の内蔵により、システムの信頼性を高めながら部品数を削減できる。
また、鉛フリー端子を使用し、IPC/JEDEC J―STD―020規格の鉛フリー・リフロー条件に基づく耐湿レベルを認定されている。 |