スピン注入磁化反転方式を用いた2メガビット高速読み出しの低消費電力・不揮発性RAM

　大学電気通信研究所（所長＝大野秀男教授）は、スピン注入磁化反転方式を用いた２メガビットの不揮発性ＲＡＭチップの試作成功を発表した。

　 今回開発された新技術は、高速読み出しを低消費電力な不揮発性ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリー）の高集積化（“ギガビット級ユニバーサルメモリー”＝ＵＭ）に道を開くものとして期待される。商品化の次期は２０１０年以降を予定。

　日立と東北大の共同開発チームは、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）をトンネル絶縁膜の材料とし、低電力書き込みと高出力読み出し可能なＴＭＲ素子をメモリーセルに用い、スピン注入磁化反転方式に適したメモリー回路を新たに開発した。これにより、１.８Ｖで書き込み時間１００ナノ秒、読み出し時間４０ナノ秒の最速動作をする２メガビットのスピン注入磁化反転ＲＡＭチップを試作、所定のメモリー動作が可能なことを確認した。

　この技術成果は、ＩＳＳＣＣ０７で発表された。

　＊スピン注入磁化反転方式＝電気的磁化反転方式とも呼ばれる。強磁性膜を流れる電子のスピンの向きをある向きに揃え、スピンの向きの揃った電流（ある向きに磁化した電流）として書き込みする技術。