レーザーディスプレイ用に最適な非極性面のｍ面に窒化ガリウムを結晶成長させた青紫色半導体レーザー

　ロームは、結晶成長が難しい非極性面のｍ面に窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶成長させた青紫色半導体レーザーの室温での連続発振に世界で初めて成功した。

　 波長４０４ナノメートル。８０度Ｃの環境下でも発振することを確認。しきい値電流も端面コートなしで世界最小の２８ｍＡと既存のＣ面結晶成長の青紫色半導体レーザー（端面コートあり）と同等以上の特性を得た。端面コートするとしきい値電流を２０ｍＡ以下にできるとみている。連続発振で１０ｍＷ以上の出力が出ることも確認している。

　 今回、ＧａＮ単結晶基板のｍ面に完全無転位化のＧａＮ結晶を有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法で成長させる技術を確立したことで、次世代ディスプレイとして注目されているレーザーディスプレイで必要な緑色半導体レーザーのキーテクノロジーであるｍ面結晶成長技術にメドをつけた。

　 同社では、今回の結晶成長技術を用い、波長４６０ナノメートルの青色半導体レーザーを試作中。０７年中には、ｍ面にインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）結晶成長させた波長５３２ナノメートルの緑色半導体レーザーを試作し、２０１０年−２０１２年ごろに緑色半導体レーザーの量産を開始。赤色、青色の半導体レーザーと組み合わせて大型、高精細ディスプレイから携帯電話などの小型ディスプレイまでの幅広い応用が期待されているレーザーディスプレイ用に供給する計画。

　 今回の青紫色半導体レーザーは、０６年のＣＥＡＴＥＣで開発発表した非極性面のｍ面に、ＧａＮ結晶成長させた波長４５０ナノメートルの青色ＬＥＤの技術をベースに開発を進めていた。ＭＯＶＰＥ結晶成長法の温度、圧力、ガスの割合、流量などを最適化することにより、ｍ面上に完全無転位のＧａＮ結晶を成長させることができた。