線幅56ナノメートル技術を使った第5世代の1ギガバイト多値セル（MLC)NANDフラッシュメモリチップ

　【ニューヨーク支局】米サンディスクは２３日、線幅５６ナノメートルのプロセス技術を使用した、１ギガバイトの多値セル（ＭＬＣ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーチップを第１四半期（１−３月期）中に出荷すると発表した。同チップは、東芝の半導体製造拠点の一つである、四日市事業所の３００ミリウエハー施設「ファブ３」で製造。上半期中に、業界最高密度の２ギガバイト製品も出荷の見込みだ。

　現在、５６ナノメートル技術を使用した１ギガバイト製品は、数量限定のエンジニアリング・サンプルを出荷中で、３月末までに量産出荷を開始する。

　 これに続き、第２四半期に出荷を予定している２ギガバイト製品は、従来の７０ナノメートル技術による製品と比べ、チップ当たりのメモリー密度が２倍で業界最高。

　 アーキテクチャ上の革新とプログラミング効率の向上により、性能も大幅に向上した。これにより、高性能フラッシュメモリー製品をよりコスト効率よく生産することができると同社では期待している。

　 サンディスクの技術・ワールドワイド事業担当のランディール・ターカー副社長は「５６ナノメートル技術の導入により、第５世代のＭＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産展開していく。先進技術と設計力により、７０ナノメートル世代に比べ書き込み速度も約２倍という製品が実現するだろう」と述べた。

　 チップを生産するファブ３は、０５年に東芝とサンディスクが共同設立した初の３００ミリウエハー工場。両社は、ＭＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュに関する多くの技術、設計を共同で開発し、ファブ３で生産した製品を両社で分割、それぞれ出荷している。

　 現在、両社の合弁企業であるフラッシュ・アライアンスが、３００ミリウエハーの新工場「ファブ４」を建設中で、ここでも年末までには５６ナノメートル技術によるＭＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー製品を製造する予定だ。